民德电子功率半导体赛道获进展 新品SGT-MOSFET启动

　　民德电子在互动易透露，今年最重点开拓的新产品分离栅低压场效应晶体管产品工艺平台开发成功，公司功率半导体业务新产品开发获得里程碑式进展，将与广州粤芯立即启动量产工作。

　　民德电子在互动易透露，公司今年最重点开拓的新产品，系在12英寸晶圆厂广州粤芯开发代工。截止最新进展，SGT-MOSFET产品工程批验证工作已完成，产品各项参数性能优异，良率在99%以上，标志SGT-MOSFET产品工艺平台开发成功，公司功率半导体业务新产品开发获得里程碑式进展。公司将与广州粤芯立即启动量产工作。

　　这次量产SGT-MOSFET新品的广微集成，系民德电子两年前的收购标的。2020年6月，民徳电子控股广微集成，拓展至功率半导体设计领域，主要产品为20V-1700V全系列硅基功率器件。2021年9月，民德电子将对广微集成的控股比例提升至83.51%，进一步加强了对广微集成的掌控。

　　2022年1月，民德电子定增募资5亿元，用于投资“碳化硅功率器件研发和产业化项目”和“适用于新型能源供给的高端沟槽型肖特基二极管产能的提升及技术改进项目”，进一步深化功率半导体产品线，为未来成长储备关键技术。

　　民德电子在最新机构调研中透露，广微集成技术团队在功率半导体产品方面具有丰富的技术储备，后续待公司参股建设的晶圆代工厂浙江广芯微电子项目在明年建成投产后，会在供应链自主可控的情况下，陆续推出包括IGBT、超级结MOS、碳化硅器件等新产品。同时，目前广微集成产品以销售晶圆片裸片给下游封装厂为主，后续随着新产能的增加，对于增量产能部分，也将逐步开拓终端客户，提高产品销售的毛利率。