双TIP41c做多谐振荡电路,股票短线追涨停死路一条

　　1：求解一道三极管多谐振荡电路

　　对不起，这个图不全。没有电源。

　　2：多谐振荡器的典型电路

　　非稳态多谐振荡器电路
图说明了典型非稳态多谐振荡器电路的组态 。
基本操作模式此电路运作在以下两种状态：
状态一
1导通
1的集电极电压为接近0V
C1由流经R2及1_CE的电流放电
由于电容C1提供反电压，使得2截止
C2经由R4及1_BE充电
输出电压为高（但因C2经由R4充电的缘故，较电源电压稍低）
此状态一直持续到C1放电完成。由于R2提供基极偏置使得2导通：此电路进入状态二
状态二
2导通
2的集电极电压（即是输出电压）由高电位变为接近0V
由于电容C2提供反电压，使1瞬间截止
1截止，使得1集电极电压上升到高电位
C1经由R1及2_BE充电
C2流经R3以及2_CE的电流放电
由于电容C2提供反电压，使得1截止
此状态一直持续到直到C2放电完毕，由于R3对1基极提供偏置电压，1导通：此电路进入状态一
电路启动过程当电路刚接上电源时，两个晶体管都是截止状态。不过，当这两个晶体管的基极电压一起上升时，由于晶体管制造过程中不可能把每个晶体管的导通延时控制得一样，所以必然有其中一个晶体管抢先导通。于是此电路便进入其中一种状态，而且也保证可以持续振荡。
振荡周期粗略的来说，状态一（输出高电位）的持续时间与R1、C1相关，状态二的持续时间与R2、C2相关。因为R1、R2、C1、C2都可以自由配置，因此可以自由决定振压周期及duty cycle。
不过，在每个状态的持续时间是由电容在充电开始时的初始状态（电容两端的电压）决定的，而这又与前一个状态中的放电量有关；前一个阶段的放电量又由放电过程中电流通过的电阻R1、R4与放电过程的持续时间决定…。总而言之，在刚启动电路时，要花费颇长的时间把电容充电（一般而言电容两端在未启动时是完全放电的），不过之后的各个阶段的持续时间便会变短并趋于稳定。
因为多谐振荡器是利用电流的充电过程控制周期，所以振荡周期同时也与输出端流出多谐振荡器的电流量有关。
由于种种不稳定因素对多谐振荡器振荡周期的影响，因此在实作中通常使用更精确的计时集成电路取代单纯的多谐振荡器电路。
单稳态多谐振荡器
双稳态多谐振荡器
 

　　3：大家好，请问这个多谐振荡器电路如何理解

　　原理如下：
状态一
1导通
1的集电极电压为接近0V
C1由流经R2及1_CE的电流放电
由于电容C1提供反电压，使得2截止
C2经由R4及1_BE充电
输出电压为高（但因C2经由R4充电的缘故，较电源电压稍低）
此状态一直持续到C1放电完成。由于R2提供基极偏置使得2导通：此电路进入状态二
状态二
2导通
2的集电极电压（即是输出电压）由高电位变为接近0V
由于电容C2提供反电压，使1瞬间截止
1截止，使得1集电极电压上升到高电位
C1经由R1及2_BE充电
C2流经R3以及2_CE的电流放电
由于电容C2提供反电压，使得1截止
此状态一直持续到直到C2放电完毕，由于R3对1基极提供偏置电压，1导通：此电路进入状态一
电路启动过程当电路刚接上电源时，两个晶体管都是截止状态。不过，当这两个晶体管的基极电压一起上升时，由于晶体管制造过程中不可能把每个晶体管的导通延时控制得一样，所以必然有其中一个晶体管抢先导通。于是此电路便进入其中一种状态，而且也保证可以持续振荡。
振荡周期粗略的来说，状态一（输出高电位）的持续时间与R1、C1相关，状态二的持续时间与R2、C2相关。因为R1、R2、C1、C2都可以自由配置，因此可以自由决定振压周期及duty cycle。
不过，在每个状态的持续时间是由电容在充电开始时的初始状态（电容两端的电压）决定的，而这又与前一个状态中的放电量有关；前一个阶段的放电量又由放电过程中电流通过的电阻R1、R4与放电过程的持续时间决定…。总而言之，在刚启动电路时，要花费颇长的时间把电容充电（一般而言电容两端在未启动时是完全放电的），不过之后的各个阶段的持续时间便会变短并趋于稳定。
因为多谐振荡器是利用电流的充电过程控制周期，所以振荡周期同时也与输出端流出多谐振荡器的电流量有关。
由于种种不稳定因素对多谐振荡器振荡周期的影响，因此在实作中通常使用更精确的计时集成电路取代单纯的多谐振荡器电路。

　　4：电路高手 多谐振荡器

　　无稳态多谐振荡器是一种简单的振荡电路。它不需要外加激励信号就便能连续地、周期性地自行产生矩形脉冲.该脉冲是由基波和多次谐波构成，因此称为多谐振荡器电路。多谐振荡器可以由三极管构成，也可以用555或者通用门电路等来构成。用两只三极管组成的多谐振荡器，通常叫做三极管无稳态多谐振荡器.
工作原理
正反馈: BG1饱和瞬间,VC1由+EC突变到接近于零,迫使BG2的基极电位VB2瞬间下 降到接近-EC,于是BG2可靠截止.
2.第一个暂稳态:
C1放电:
C2充电:
3.翻转:当VB2随着C1放电而升高到+0.5V时,BG2载始导通,通过正反馈使BG1截 止,BG2饱和.
正反馈:
4.第二个暂稳态:
C2放电:
C1充电:
5.不断循环往复,便形成了自激振荡
6.振荡周期: T=T1+T2=0.7(RB2*C1+RB1*C2)=1.4RB*C
7.振荡频率: F=1/T=0.7/RB*C
8..波形的改善: 可以同单稳态电路,采用校正二极管电路

　　5：请问生产传感器的上市公司有哪几家。

　　A股具有传感器概念的上市公司合计有7家，其中上海市场2家，深圳市场5家。详细信息如下表所示：
同方股份(600100)LED-芯片，LED照明，PC，半导体，半导体照明材料，传感器，创投，分拆上市，合同能源管理，核高基，机顶盒，建筑节能，建筑智能化，三网融合，射频识别（RFID），铜箔，下一代广播电视网(NGB)，烟气脱硫，印制电路板，云计算。
珠海港(000507)PTA，玻纤，传感器，对苯二甲酸，港口(珠三角)，区域-横琴新区。
汉威电子(300007)传感器，防辐射-核辐射检测。
华工科技(000988)传感器，分拆上市，光电子材料，光通信，光通信-光器件及光模块，激光产业，蓝光设备，区域-武汉城市圈，射频识别（RFID），武汉城市圈。
威尔泰(002058)传感器，核电设备-控制系统，袖珍股(中小板)。
同方国芯(002049)传感器，河北沿海规划，区域-河北沿海规划，区域-唐山城市规划，社保一卡通，银行IC卡。
上海贝岭(600171)传感器，集成电路(IC)，上海国资重组，射频识别（RFID），数字电视运营系统设备。

　　6：MEMS传感器概念股有哪些

　　位移传感器又称为线性传感器，是一种属于金属感应的线性器件，传感器的作用是把各种被测物理量转换为电量。在生产过程中，位移的测量一般分为测量实物尺寸和机械位移两种。按被测变量变换的形式不同，位移传感器可分为模拟式和数字式两种。模拟式又可分为物性型和结构型两种。常用位移传感器以模拟式结构型居多，包括电位器式位移传感器、电感式位移传感器、自整角机、电容式位移传感器、电涡流式位移传感器、霍尔式位移传感器等。数字式位移传感器的一个重要优点是便于将信号直接送入计算机系统。这种传感器发展迅速，应用日益广泛。